Bước tới nội dung

Nhôm arsenide

Bách khoa toàn thư mở Wikipedia
Nhôm asenua
Nhận dạng
Số CAS22831-42-1
PubChem89859
Số EINECS245-555-0
Ảnh Jmol-3Dảnh
SMILES
đầy đủ
  • [Al]#[As]

InChI
đầy đủ
  • 1/Al.As/rAlAs/c1-2
Thuộc tính
Công thức phân tửAlAs
Khối lượng mol101,902 g/mol
Bề ngoàitinh thể màu cam
Khối lượng riêng3,72 g/cm³
Điểm nóng chảy 1.740 °C (2.010 K; 3.160 °F)
Điểm sôi
Độ hòa tan trong nướcphản ứng
Độ hòa tanphản ứng với etanol
BandGap2,12 eV (gián tiếp)[1]
ElectronMobility200 cm²/(V·s) (300 K)
Độ dẫn nhiệt0,9 W/(cm·K) (300 K)
Chiết suất (nD)3 (hồng ngoại)
Các nguy hiểm
Nguy hiểm chínhđộ độc cao
Trừ khi có ghi chú khác, dữ liệu được cung cấp cho các vật liệu trong trạng thái tiêu chuẩn của chúng (ở 25 °C [77 °F], 100 kPa).
☑Y kiểm chứng (cái gì ☑YKhôngN ?)

Nhôm asenua là một hợp chất hóa học vô cơ có thành phần chính gồm có hai nguyên tố nhômasen, có công thức hóa học được quy định là AlAs. Hợp chất này được ứng dụng là một chất bán dẫn, và có thể tạo thành một siêu mạng với gali asenua (công thức: GaAs) dẫn đến các tính chất bán dẫn của hợp chất.[2] Vì các tính chất của hợp chất, nó được dùng làm các bóng bán dẫn HEMT và các thiết bị lượng tử khác.[3]

Độc tính

[sửa | sửa mã nguồn]

Các tính chất hóa học, tính chất và độc tính của hợp chất nhôm asenua không được nghiên cứu cách kỹ lưỡng và ghi lại.

Hợp chất nhôm có nhiều mục đích thương mại và thường được tìm thấy trong ngành công nghiệp. Nhiều trong số những vật liệu này hoạt động về mặt hoá học và do đó có độc tính và phản ứng nguy hiểm.

Biện pháp phòng ngừa đặc biệt

[sửa | sửa mã nguồn]

Các biện pháp phòng ngừa khi vận chuyển và cất giữ: Lưu trữ nơi khô mát, thoáng mát trong các thùng chứa kín. Đảm bảo có thông gió tốt. Mở và sử dụng thùng chứa cẩn thận. Không lưu trữ hợp chất này cùng với axit. Giữ bình chứa hóa chất luôn kín.

Tham khảo

[sửa | sửa mã nguồn]
  1. ^ “AlxGa1−xAs”. Ioffe Database. Sankt-Peterburg: FTI im. A. F. Ioffe, RAN.
  2. ^ Guo, L. "Structural, Energetic, and Electronic Properties of Hydrogenated Aluminum Arsenide Clusters". Journal of Nanoparticle Research. Vol. 13 Issue 5 p. 2029-2039. 2011.
  3. ^ S. Adachi, GaAs and Related Materials: Bulk Semiconducting and Superlattice Properties. (World Scientific, Singapore, 1994)